وكالات – أفادت تقارير صناعية متطابقة بأن الصين أحرزت تقدما تقنيا عبر تطوير نموذج أولي لآلة طباعة ضوئية بتقنية الأشعة فوق البنفسجية الشديدة EUV داخل منشأة عالية التأمين في مدينة شينزين في خطوة لافتة تأتي بالتزامن مع تشديد القيود الدولية على معدات تصنيع أشباه الموصلات المتقدمة.
ووفقا للمعلومات المتداولة، تمكن النموذج الصيني من توليد ضوء EUV في بيئة مخبرية محكمة وهي مرحلة محورية في مسار إنتاج الشرائح المتقدمة بدقة أقل من 7 نانومتر. رغم ذلك، لا يزال المشروع في نطاق البحث والتجريب ولم يصل بعد إلى مرحلة تصنيع شرائح تجارية قابلة للاستخدام الصناعي.
هذا التطور يفرض معادلة جديدة على تحالف Chip 4 الذي يضم الولايات المتحدة واليابان وكوريا الجنوبية وتايوان خاصة أن التحالف تأسس في عام 2022 بهدف تنسيق السياسات وحماية سلاسل الإمداد العالمية وتشديد ضوابط تصدير التقنيات الحساسة المرتبطة بصناعة الرقائق.
وتاريخيا، احتكرت شركة ASML الهولندية تصنيع آلات EUV على مستوى العالم فيما نجحت واشنطن منذ عام 2018 في دفع هولندا إلى حظر تصدير هذه المعدات إلى الصين. لاحقا، توسعت القيود لتشمل البرمجيات وخدمات الصيانة في إطار استراتيجية تهدف إلى إبطاء التطور التقني للمصانع الصينية.
وفي هذا السياق، كشف تحقيق لوكالة رويترز أن المشروع الصيني اعتمد على فريق يضم مهندسين سبق لهم العمل في ASML ضمن ترتيبات أمنية صارمة شملت فصل فرق البحث وإعادة توظيف مكونات من آلات قديمة للوصول إلى ما يعرف بمرحلة الضوء الأول.
ورغم التقدم المحقق، يؤكد خبراء الصناعة أن التحدي الأبرز لا يزال مرتبطا بتطوير المرايا البصرية فائقة الدقة اللازمة لتوجيه شعاع EUV وهي عنصر حاسم يفصل بين نموذج تجريبي ومنظومة إنتاج صناعي مستقرة.
وتشير تقديرات أولية إلى أن انتقال هذا النموذج من المختبر إلى الإنتاج الصناعي واسع النطاق قد يستغرق حتى الفترة الممتدة بين عامي 2028 و2030 في حال استمر التطور دون معوقات كبيرة.
في حال تحقق هذا السيناريو، يتجه سوق أشباه الموصلات العالمي نحو تحول تدريجي في ميزان القوة مع تصاعد المنافسة التقنية بين الكتل الصناعية الكبرى واتساع الفجوة بين أنظمة التصنيع والمعايير التقنية وسلاسل الإمداد وهو مسار يدفع السوق نحو انقسام فعلي إلى منظومتين تقنيتين متوازيتين لكل منهما بنية إنتاج وتشغيل مستقلة وتأثير مباشر على الاستثمارات والتسعير وسرعة التطور في قطاع الرقائق المتقدمة.
Web Desk
